（2023）最高法知行终830号
张某、杭州某公司、成都某公司与国家知识产权局及甲公司发明专利权无效行政纠纷二审判决书
中华人民共和国最高人民法院
行 政 判 决 书
上诉人（一审原告、专利权人）：张某。
上诉人（一审原告、专利权人）：杭州某公司。住所地：浙江省杭州市。
法定代表人：鄢某。
上诉人（一审原告、专利权人）：成都某公司。住所地：四川省成都市。
法定代表人：鄢某。
被上诉人（一审被告）：国家知识产权局。住所地：北京市海淀区蓟门桥西土城路6号。
法定代表人：申长雨，该局局长。
委托诉讼代理人：刘利芳，该局审查员。
委托诉讼代理人：谭颖，该局审查员。
一审第三人（无效宣告请求人）：甲公司。住所地：上海市闵行区。
法定代表人：A某。
委托诉讼代理人：石必胜，北京市立方律师事务所律师。
委托诉讼代理人：林金朝，永新专利商标代理有限公司专利代理师。
上诉人张某、杭州某公司、成都某公司与被上诉人国家知识产权局及一审第三人甲公司发明专利权无效行政纠纷一案，涉及专利权人为张某、杭州某公司、成都某公司，名称为“三维只读存储器及其制造方法”的发明专利（以下简称本专利）。针对甲公司就本专利权提出的无效宣告请求，国家知识产权局作出第46702号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），宣告本专利权全部无效；张某、杭州某公司、成都某公司不服，向北京知识产权法院（以下简称一审法院）提起诉讼，请求撤销被诉决定，判令国家知识产权局重新作出审查决定。一审法院于2023年5月22日作出（2021）京73行初3769号行政判决，判决驳回张某、杭州某公司、成都某公司的诉讼请求；张某、杭州某公司、成都某公司不服，向本院提起上诉。本院于2023年10月17日立案后，依法组成合议庭，并于2024年9月26日公开开庭审理了本案，上诉人张某，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人刘利芳、谭颖，一审第三人甲公司的委托诉讼代理人石必胜、林金朝到庭参加诉讼。本案现已审理终结。
本案基本事实如下：本专利系名称为“三维只读存储器及其制造方法”的发明专利，专利权人为张某、杭州某公司、成都某公司，专利号为98119572.5，专利申请日为1998年9月24日，授权公告日为2003年1月22日。张某、杭州某公司、成都某公司在无效宣告口头审理程序中修改了权利要求，并于2020年10月22日提交全文替换页的权利要求1-3项。作为本案审查基础的权利要求为：
“1.一种三维只读存储器，包括一含有晶体管的半导体衬底，其特征在于包括：
至少两个叠置在所述衬底上的只读存储层，其中，每一只读存储层包括多个只读存储元和多个地址选择线；以及
多个形成在所述只读存储层和半导体衬底之间、用于提供所述只读存储层和所述半导体衬底之间连接的层间连接通道口和/或接触通道孔；
所述只读存储层的地址译码器，其中，至少部分所述地址译码器由部分位于所述半导体衬底上的晶体管构成；
一布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方。
2.一种三维只读存储器，包括一含有晶体管的半导体衬底，其特征在于包括：
至少两个叠置在所述衬底上的只读存储层，其中，每一只读存储层包括多个只读存储元和多个地址选择线；以及
多个形成在所述只读存储层和半导体衬底之间、用于提供所述只读存储层和所述半导体衬底之间连接的层间连接通道口和/或接触通道孔；
一层间绝缘膜，该层间绝缘膜位于所述只读存储层中的至少部分第一只读存储层和至少部分第二只读存储层之间；
所述只读存储层的地址译码器，其中，至少部分所述地址译码器由部分位于所述半导体衬底上的晶体管构成；
一布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方。
3.一种三维只读存储器，包括一含有晶体管的半导体衬底，其特征在于包括：
至少两个叠置在所述衬底上的只读存储层，其中，每一只读存储层包括多个只读存储元和多个地址选择线；以及
多个形成在所述只读存储层和半导体衬底之间、用于提供所述只读存储层和所述半导体衬底之间连接的层间连接通道口和/或接触通道孔；
所述第一只读存储层含有第一地址选择线，第二只读存储层含有第二地址选择线，第一地址选择线和第二地址选择线相互连接；
所述只读存储层的地址译码器，其中，至少部分所述地址译码器由部分位于所述半导体衬底上的晶体管构成；
一布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方。”
2019年7月26日，甲公司请求国家知识产权局宣告本专利权利要求全部无效。甲公司在口头审理程序中明确其无效宣告的主要理由包括：（一）权利要求1-3修改超范围，不符合1992年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第三十三条的规定。（二）权利要求1-3得不到说明书支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。（三）权利要求1、3相对于证据2不具有专利法第二十二条第二款规定的新颖性。（四）权利要求1-3不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。甲公司共提交了23份证据，其中：
证据2：专利号为EP0666593A1的专利文件及其中文译文，公开日为1995年8月9日。证据2具体公开了以下技术内容：
公开内容1：证据2说明书第[0005]-[0011]段、第[0062]-[0102]段及附图6-8公开了一种具有三维结构的只读存储器：包括：Si衬底1，衬底上形成有由列地址缓冲器、列译码器、译码器驱动器和读出放大器构成的电路块2，行地址缓冲器3，行译码器/译码器驱动器4，输出缓冲器5，以及用于执行读取/写入选择、芯片选择、信号输入等的芯片控制电路6；导电层9和11形成为矩阵布置在衬底上的绝缘中间层上，至少用于确定关断或导通状态的绝缘层13和具有整流功能的层被布置在导电层9和11之间（上述多个导电层9和11及其间的多个绝缘层13/整流层构成只读存储层）；导电层9通过通孔36连接到衬底1，导电层11通过通孔38先连接到导电层10再通过下方的通孔36连接到衬底1；布线层26、27形成于绝缘中间层25上，由相同材料制作并进行图案化而形成。由附图8可见布线层26将晶体管的漏极22的引出接触点位置向左移出了一段距离使晶体管位于存储层下方，结合附图6可见至少部分行译码器/译码器驱动器4位于存储层下方。
公开内容2：证据2说明书第[0116]-[0119]段及附图14公开了存储层可采用堆叠结构：三个导电层（导体）经由用于确定关断状态或导通状态的层和具有整流功能的层堆叠在彼此上，使得每个导体垂直于相邻导体，导体75、76、77堆叠在绝缘中间层70上彼此垂直；导体76用作用于位线的75和77的公共字线，在连接布线层77、76和75时，布线层76和75以与附图8中所示相同的方式进行连接，并且布线层被连接成使得在布线层77上形成另一布线层，并经由布线层77的上部金属71进行接触，该单元的主要特性特征在于，从用于外围电路的多层结构到存储单元部分的部分堆叠在彼此上，以减少芯片面积，每个存储单元的占有面积是一般结构的1/2，因此存储容量可以加倍。
公开内容3：证据2说明书第[0065]段及附图7公开了附图6中存储器衬底中的电路布置，包括晶体管201至206、行译码器218、列译码器219等。
公开内容4：证据2说明书第[0117]段公开了形成附图14的叠置存储层中的导体75-77的方法，包括：连续形成层71-74并图案化获得导体75、在层71侧壁形成自然氧化物膜、在以上层上形成TEOS-SiO2深蚀刻直至暴露层74的表面、溅射形成导体76并图案化、形成TEOS-SiO2膜并对其深蚀刻以暴露导体76的表面、随后重复类似工艺。
针对甲公司提出的无效宣告请求，专利权人张某、杭州某公司、成都某公司共提交了10份附件，其中：附件4-6分别为对甲公司提交的证据2、12、13、14的译文修改页，张某、杭州某公司、成都某公司认为上述证据中的wire和wiring应翻译为“连线”而非甲公司翻译的“布线”。
2020年10月26日，国家知识产权局作出被诉决定认为：在证据2的基础上结合本领域的公知常识得到本专利权利要求1-3的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1-3要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。国家知识产权局据此决定：宣告本专利权全部无效。
张某、杭州某公司、成都某公司不服，向一审法院提起诉讼，一审法院于2021年3月3日立案受理。张某、杭州某公司、成都某公司起诉请求：撤销被诉决定，判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：（一）针对权利要求1，被诉决定遗漏了区别技术特征“布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方”。本专利的布线层应理解为用于集成电路“模块之间”触点电连接的导电迹线，但证据2中公开的仅为集成电路“模块内部”触点电连接的导电迹线。因此，证据2未公开上述技术特征，且该技术特征的获得对于本领域技术人员而言非显而易见，故本专利权利要求1具备创造性。（二）基于相同的理由，本专利权利要求2、3亦具备创造性。
国家知识产权局一审辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，请求依法驳回张某、杭州某公司、成都某公司的诉讼请求。
甲公司一审述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，请求依法驳回张某、杭州某公司、成都某公司的诉讼请求。
一审法院经审理认定了上述事实。另查明：一审诉讼中，杭州某公司、成都某公司出具《声明》，同意并接受张某在一审庭审过程中的所有陈述。
一审法院认为：张某、杭州某公司、成都某公司有关权利要求1具备创造性的主张是否成立，关键在于证据2是否公开了本专利中的布线层以及该布线层的获得是否显而易见。张某、杭州某公司、成都某公司主张本专利的布线层未被证据2公开的理由在于，本专利的布线层应理解为用于集成电路“模块之间”触点电连接的导电迹线。但由权利要求1记载可知，其对于布线层的限定为“布线层，该布线层使至少部分所述地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方”，并无“模块之间”的限定。除此之外，本专利说明书中并无对于布线层的具体定义，相应记载仅见于对本专利附图14的如下说明，“此布线层109b把存储层100上的接触点131从存储层200的231处移开”，该记载同样未见有关“模块之间”的限定，且本专利说明书全文亦无将“模块之间”触点电连接的记载。基于此，张某、杭州某公司、成都某公司有关布线层应理解为用于集成电路“模块之间”触点电连接的导电迹线的主张不能成立，其据此认为证据2并非“模块之间”触点电连接，故未公开布线层的主张不能成立，一审法院不予支持。鉴于张某、杭州某公司、成都某公司有关本专利权利要求1具备创造性的唯一理由在于布线层未被公开且其获得非显而易见，在一审法院已认定该主张不能成立的情况下，对于张某、杭州某公司、成都某公司有关权利要求1具备创造性的主张不予支持。基于相同的理由，对于张某、杭州某公司、成都某公司有关权利要求2、3具备创造性的主张，一审法院亦不予支持。
一审法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“驳回原告张某、杭州某公司、成都某公司的诉讼请求。案件受理费100元，由原告张某、杭州某公司、成都某公司负担（已交纳）。”
张某、杭州某公司、成都某公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决；2.撤销被诉决定，判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：（一）一审判决及被诉决定将“布线”定义为任意电连接，属于事实认定错误。1.在集成电路领域，模块为具有一定功能的电子元件组合，布线自身就带有“模块之间触点电连接”的含义。2.本专利权利要求1中，布线层与译码器、存储层为并列组件，布线层为译码器的外部连接，可调整译码器的设置位置。因此，布线层是指译码器之上的互连层，不包括译码器所需的互连层，为一具体的金属层结构。3.虽然本专利附图14仅记载了布线层109b与接触点131电连接，但是附图2公开了接触点131是译码器160的外部触点。因此，布线层109b为译码器160的外部连接。同时，从附图14还可以看出，布线层109b另一端通过通道孔109a与存储层100电连接。由此可知，布线层109b是两个模块即译码器160和存储层100之间的电连接。（二）本专利中的布线层未被证据2公开。证据2中的金属迹线26、27是晶体管20-23和存储层29-37之间的引线。晶体管自身不可能构成译码器，译码器至少要含有一层连线，因此，证据2中的金属迹线26、27是译码器的内部连线，位于译码器之中，为晶体管之间的连接。而本专利的布线层109b是译码器的外部连线，位于译码器之上，为模块（译码器与存储层）之间的连接。（三）本专利解决了“非底层译码器不能置于存储层下方”的技术问题，取得了有益的技术效果。证据2并未意识到该技术问题，亦无法实现将非底层译码器置于存储层下方的技术效果。本专利权利要求1的技术水平远超过证据2。（四）被诉决定关于“一般情况下，权利要求中的用词应当理解为相关技术领域通常具有的含义”的观点不符合相关司法解释的规定。
国家知识产权局辩称：一审判决认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，请求依法驳回上诉，维持原判。
甲公司述称：一审判决认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，请求依法驳回上诉，维持原判。
本院二审期间，张某、杭州某公司、成都某公司向本院提交了如下证据：1.《高等学校教材：数字集成电路的分析与设计》第257页，王某、蓝某、刘某编，电子工业出版社，1991年1月第1版。2.《数字逻辑设计》第330页，范某编，中国科学技术大学出版社，1992年出版。3.《高等学校教材：超大规模集成电路设计方法学导论》第8、22、23页，杨某，清华大学出版社，1990年12月第1版。证据1-3拟共同证明：布图包括布局和布线，布线是基本单元（或标准单元、宏单元、超单元、巨单元等）之间的连线。4.《集成电路布图设计自动化》第11、13、14、40、417页，庄某、李某编著，上海交通大学出版社，1986年8月第1版，拟证明布局和布线不以晶体管为对象，而以单元电路为对象；集成电路采用分级（模块化）设计，模块为具有一定功能的子电路，最低一级模块是单元电路。5.（2019）最高法知行终61号行政判决书，拟证明应当以所属技术领域的技术人员在阅读权利要求书、说明书及附图后所理解的通常含义，界定权利要求的用语。
国家知识产权局质证意见为：对证据1-4的真实性、合法性不持异议，但其并非被诉决定的作出基础，对其关联性和证明目的不予认可；证据1-4仅能证明模块之间的线称为布线，不能证明模块内部的线不是布线。对证据5的真实性、合法性予以认可，被诉决定的认定符合相关司法解释的规定。
甲公司质证意见为：认可证据1-5的真实性，合法性，不认可关联性和证明目的。布线在有些技术中可能是指模块之间的连线，但不能证明其仅有此唯一含义，本专利中的布线应当结合本专利说明书进行理解。
本院认证意见为：对张某、杭州某公司、成都某公司提交的二审证据1-5的真实性、合法性予以确认。《最高人民法院关于审理专利授权确权行政案件适用法律若干问题的规定（一）》第二十九条规定：“专利申请人、专利权人在专利授权确权行政案件中提供新的证据，用于证明专利申请不应当被驳回或者专利权应当维持有效的，人民法院一般应予审查。”据此，本院对于张某、杭州某公司、成都某公司提交的二审证据1-4予以接受和审查。二审证据5与本案事实无关，亦不属于公知常识性证据，本院不予采纳。
国家知识产权局、甲公司未提交新证据。
本院经审理查明：一审法院认定的事实属实，本院予以确认。
本院另查明：
张某、杭州某公司、成都某公司提交的二审证据1，即《高等学校教材：数字集成电路的分析与设计》一书中载明：“布图，包括布局和布线，是将要制作在集成电路芯片上的各种基本单元电路正确地安放在芯片上的不同位置，并实现正确的电气连接。”二审证据4《集成电路布图设计自动化》一书中载明：“在LSI/VLSI布图设计中，一般并不直接以晶体管等电路元件为基础来进行设计，而是以单元电路（逻辑门、寄存器等）为基础。而单元电路的布图设计，则一般由人工完成或由标准单元库提供。”“在分级设计方法中，芯片由各级模块组成。从广义来讲，芯片本身也可看作是最高一级的模块。分级设计中的每一级模块由其下级模块组合而成。最低一级的模块就是通常所说的基本单元。”
二审庭审前，杭州某公司、成都某公司分别出具《同意代表出庭及陈述意见声明》，确认由张某代表二上诉人出庭，发表意见等。
二审庭审中，张某、杭州某公司、成都某公司确认，如果权利要求1不具备创造性，则不再主张权利要求2、3的创造性。
以上事实有张某、杭州某公司、成都某公司提交的二审证据1、二审证据4，杭州某公司、成都某公司出具的《同意代表出庭及陈述意见声明》及二审庭审笔录在案佐证。
本院认为：本专利申请日在1992年修正的专利法施行日（1993年1月1日）之后、2000年修正的专利法施行日（2001年7月1日）之前，本案应适用1992年修正的专利法。本案二审争议焦点问题是：本专利是否符合专利法第二十二条第三款的规定，即本专利是否具备创造性，重点是权利要求1是否具备创造性。
根据专利法第二十二条第三款的规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步。判断要求保护的发明相对于申请日前已有的技术是否具有突出的实质性特点，通常按照以下步骤进行：一是确定申请日前已有的技术中与要求保护的发明最密切相关的一个技术方案；二是确定发明的区别技术特征和发明实际解决的技术问题；三是从最接近的申请日以前已有的技术和发明实际解决的技术问题出发，判断要求保护的发明对本领域技术人员来说是否显而易见。判断要求保护的发明是否具有显著的进步，主要应当考虑发明相对于申请日以前已有的技术是否具有有益的技术效果。
本案中，本专利权利要求1要求保护一种三维只读存储器，证据2公开了一种具有三维结构的只读存储器。被诉决定认为权利要求1与证据2公开内容1相比的区别技术特征为：（1）至少两个重叠的只读存储层；（2）至少部分所述地址译码器由部分位于所述半导体衬底上的晶体管构成。基于上述区别技术特征，被诉决定认为权利要求1实际解决的技术问题是：减少芯片面积、增加存储容量以及在衬底上构造地址译码器。被诉决定还认定，区别技术特征（1）已经在证据2附图14即公开内容2的实施方式中公开；关于区别技术特征（2），在证据2公开内容3的基础上，本领域技术人员选择用晶体管构造行、列译码器属于本领域公知常识。张某、杭州某公司、成都某公司对于被诉决定已确定的上述区别技术特征、实际解决的技术问题以及上述技术启示的认定不持异议，但认为被诉决定遗漏认定区别技术特征，即证据2未公开本专利的布线层。对此，本院分析如下：
首先，发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求。根据本专利权利要求书、说明书及附图的记载，布线层109b位于衬底10和第一个存储层100之间，用于把存储层100上的接触点131从存储层200的接触点231处移动至合适的位置后与存储层进行电连接。张某、杭州某公司、成都某公司主张该布线层应为一具体的金属层结构，对此本院认为，本专利权利要求1中并未对布线层的具体结构作出限定；本领域技术人员在阅读说明书及附图后，亦不能直接地、毫无疑义地确定布线层的具体结构特征，故张某、杭州某公司、成都某公司的该项上诉主张，依据不足，本院不予支持。
其次，根据证据2说明书第[0062]-[0102]段记载的具体实施例及附图6-8可知，证据2中布线层26形成于绝缘中间层25上，一端通过通孔36与存储层相连，另一端与译码器中的晶体管相连，并将晶体管的漏极22的引出接触点位置向左移出了一段距离使晶体管位于存储层下方。故证据2中布线层26与本专利权利要求1中的布线层109b在整体电路布图中所处位置、与两端电路部件的连接关系以及所起到的作用相同，即证据2已经公开了本专利权利要求1中的布线层。
再次，张某、杭州某公司、成都某公司主张，根据本领域公知常识，布线是具有一定功能的电子元件组合而成的模块与模块之间的外部连接，不包括晶体管之间的内部连接，并据此认为本专利中的布线层是译码器与存储层之间的外部连接，而证据2中的布线层26属于译码器的一部分，是晶体管的引线，属于译码器的内部连接，故证据2中的布线层不同于本专利的布线层。国家知识产权局则认为，布线是基于对导电迹线的走向、排布等相关设计需求而设置的导电迹线，与其所连接的部件种类或层级无关。对此本院认为，第一，一般而言，译码器可以包含多个基本单元电路。即使按照张某、杭州某公司、成都某公司二审中的主张，即布线是连接基本单元电路之间的连线，基本单元电路是可以实现一定功能的最小电子元件的组合，但因独立的一个晶体管并非基本单元电路，故也不能得出仅译码器与其他功能模块之间的导电迹线才属于布线的结论，译码器内部基本单元电路之间的导电迹线也应属于布线。第二，如前所述，在本案中，布线层26在证据2中所起到的作用与本专利中布线层109b所起到的作用实质相同。张某、杭州某公司、成都某公司主张证据2中的布线层26属于译码器的一部分，实现了晶体管之间的电连接，属于译码器的内部连接。但根据证据2说明书及附图所示内容，本领域技术人员仅可以确定证据2的布线层26一端与存储层连接，另一端与译码器中的晶体管连接，并不能直接地、毫无疑义地确定布线层26还实现了译码器内部晶体管与晶体管之间的电连接。故张某、杭州某公司、成都某公司主张证据2中的布线层26属于译码器的一部分，即使其与存储层连接，也不属于其所主张的布线的上诉理由，不能成立。
最后，张某、杭州某公司、成都某公司主张被诉决定对于布线层的解释不符合相关司法解释有关权利要求解释所需遵循的一般原则，认为应当以本领域技术人员阅读权利要求书、说明书及附图后所理解的通常含义界定。对此本院认为，被诉决定在解释布线层含义时，并未脱离本专利权利要求书、说明书及附图，对于证据2公开内容的理解亦以其所公开的专利文本为依据，并不存在违背有关权利要求解释一般原则的问题。张某、杭州某公司、成都某公司关于被诉决定法律适用错误的上诉理由，不能成立，本院不予支持。
综上，被诉决定认定本专利中的布线层已被证据2公开，所作认定正确，张某、杭州某公司、成都某公司关于被诉决定遗漏区别技术特征的上诉主张，依据不足，本院不予支持。
张某、杭州某公司、成都某公司另主张，本专利布线层的设置解决了“非底层译码器不能置于存储层下方”的技术问题，具有预料不到的技术效果。经审查，本专利权利要求1中仅限定了布线层的设置使得至少部分地址译码器能位于至少一个只读存储层的下方，并未限定该地址译码器必须为非底层存储层的地址译码器。此外，根据证据2说明书第[0117][0118]段的记载可知，证据2同时给出了证据2附图14中的两层存储层结构可用于与附图8所示的相同的电路结构和连接方式进行连接的技术启示。因此，在证据2附图8已经公开布线层26将接触点引出至合适位置再进行导电连接的基础上，本专利权利要求1中的布线层所实现的技术效果亦已被证据2公开并给出了合理预期，本专利权利要求1并未产生预料不到的技术效果。张某、杭州某公司、成都某公司该项上诉主张亦不能成立，本院不予支持。
综上，在证据2的基础上结合本领域的公知常识得到本专利权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，本专利权利要求1不具备创造性。
关于本专利权利要求2、3，鉴于张某、杭州某公司、成都某公司对此未提出其他具体上诉理由，且认可如果权利要求1不具备创造性，则不再坚持权利要求2、3的创造性。经审查，被诉决定相关认定并无不当，本院予以维持。
综上所述，张某、杭州某公司、成都某公司的上诉请求不能成立，应予驳回。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。根据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：
驳回上诉，维持原判。
二审案件受理费100元，由张某、杭州某公司、成都某公司负担。
本判决为终审判决。
审 判 长
魏磊
审 判 员
朱世亮
审 判 员
郭鑫
二〇二四年十二月二十七日
法官助理
张晶鑫
技术调查官
王晓飞
书记员
王怡